Diodes 公司 (美台半导体) 双极晶体管

 

在双极晶体管方面，Diodes 是市场领导者。 通过利用其广泛的内部 封装和卓越的硅技术，Diodes 非常适合满足您对双极晶体管的应用需求。

 

持续创新

双极晶体管产品组合建立在我们创新的矩阵发射器工艺的连续几代之上。多年的专业知识、领先的设计和工艺创新扩大了我们在制造超低饱和、快速开关晶体管方面的领先地位。

 

一流的性能

专注于优化工艺以实现最低饱和电压、减少裸片面积并随后提高开关性能，随之而来的功耗降低允许更小的表面贴装封装，但仍能满足目标应用的需求。双极器件固有的 ESD 耐用性以及非常低的特定导通电阻也使它们成为MOSFET的极具成本效益的替代品 广泛的电路拓扑技术。

 

特定应用产品

市场对改进电子系统解决方案的需求，无论是提高效率、增加功率密度还是降低成本，都推动着我们所有的特定应用产品。

 

雪崩晶体管、栅极驱动器和 H 桥器件均经过开发，以创建由客户需求驱动的专用解决方案，并将卓越的晶体管芯片性能与 Diodes 封装专业知识相结合。

 

质量

Diodes 双极晶体管产品组合中的大部分产品旨在满足汽车电子委员会规范 AEC-Q101 的严格要求。

 

雪崩晶体管

雪崩晶体管的开发旨在满足客户需求，并将晶体管芯片性能的优势与 Diodes 封装相结合。 更多的

 

栅极驱动晶体管

栅极驱动器晶体管旨在通过射极跟随器配置和优化的引出线将开关损耗降至最低。 更多的

 

预偏置晶体管

预偏置晶体管具有外延平面裸片结构、内置偏置电阻器和适合自动化组装的表面贴装封装。 更多的

 

特殊功能装置

特殊功能器件利用广泛的内部封装和卓越的硅技术来满足客户的应用需求。 更多的

 

主动 OR-ing 控制器

高压线性稳压器

LED 驱动器

继电器驱动器

同步控制器

理想二极管控制器

晶体管和肖特基组合

晶体管加肖特基器件采用低饱和晶体管与肖特基二极管相结合，适用于薄型应用。

 

晶体管 (BJT) 

BJT 产品组合涵盖了电压范围从低于 25V 到超过 100V 的大部分晶体管要求。 

 

晶体管 < 30V

晶体管 30V 至 59V

晶体管 60V 至 100V

晶体管 > 100V

达林顿晶体管

配对