Diodes公司应用的热效率高，超小DFN包装双设备组合技术，推出便携式充电设备开关。

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Diodes 亚太技术市场总监梁后泉指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一个20VP通道增强模式MOSFET配套二极管组合包装，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN选择3020两种包装。DMP2160UFDB把两个一样MOSFET组合封装成DFN2020形式。

传统便携式应用设计中常用的体积较大的3mm x 3mm封装相比，DFN2020节省了55Diodes代理%的PCB空间;仅0.5mm板外高度也比传统包装薄50%，符合下一代产品设计的要求。用于这些包装MOSFET都有低栅电荷，在 1.8V VGS下的典型R DS(ON)为86m?，确保开关和导通损耗最小。

为了进一步提高效率，这些包装中使用的二极管是Diodes自己的高性能超势垒整流器 (SBR)。凭借其仅有0.42V典型的低正向压降，SBR功率损耗远低于传统的肖特基二极管。