Diodes公司推出互补双 MOSFET组合DMC1028UFDB，旨在提高直流-直流转换器的功率密度。N通道是新产品MOSFET及P通道MOSFET集成到单一DFN2020封装。装置设计为负载点转换器提供3个专用集成电路.3V下降到1V核心电压。目标应用包括以太网络控制器、路由器、网络接口控制器、交换机、数字用户线路适配器、服务器、机顶盒等设备的处理器。

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降压转换器可以使用独立的脉冲宽度控制器和外部MOSFET从开关元件中提供分布式热耗散，提高设计灵活性。DMC1028UFDB MOSFET组合优化性能，可尽可能提高3.3V到1V降压转换器效率高达3A的负载。这些优化性能包括三分之二开关周期处于导通状态的低侧N通道MOSFET，Vgs=3.3V下的19mΩ低导电阻和P通道MOSFET而设，Vgs=3.3V下的5nc从而最大限度地减少开关损耗。

DMC1028UFDB利用P通道MOSFET与需要充电泵的N通道相比，部署高侧开关元件MOSFET，它可以简化设计，减少元件的数量。独立于相同尺寸的包装MOSFET将P通道和N通道设备集成到单一通道中DFN2020封装的互补式双 MOSFDiodes是什么品牌ET组合可以使整体功率密度翻倍。

以3000个新产品为出货批量。欲了解更多产品信息，请访问www.diodes.com。