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零件图片（仅供参考）
规格参数
制造商产品型号：DMTH69M8LFVW-7制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：28ns/198ns驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.5 毫欧 @ 13.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33.5nC @ 10VVgs（最大值）：±16V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1925pF @ 30VFET功能：-功率耗散（最大值）：LMR-1700工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerDI3333-8（SWP）UX 类DMTH69M8LFVW-7，Diodes产品一站式供应商。
