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规格参数
制造商产品型号：DMT3009LFVW-7制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：3.8V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 14.4A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：823pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.3W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼器件封装：PowerDI3333-8（SWP）UX 类DMT3009LFVW-7，Diodes产品一站式供应商。
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