专注Diodes产品销售十多年,服务全国数百家制造企业及科研院校,只为成为您所值得信赖的Diodes供应商!
零件图片(仅供参考)
规格参数
制造商产品型号:DMNH6012LK3Q-13制造商:Diodes Incorporated描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO252-4L系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:Automotive, AEC-Q101零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):80A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):12 毫欧 @ 25A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):35.2nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1926pF @ 30VFET功能:-功率耗散(最大值):2W(Ta)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:TO-252-4LDMNH6012LK3Q-13,Diodes产品一站式供应商。