DMN61D8LVTQ-13（Diodes，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：DMN61D8LVTQ-13

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：2 N-通道（双）

FET功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：60V

25°C时电流-连续漏极(Id)：630mA

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.8 欧姆 @ 150mA，5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.74nC @ 5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：12.9pF @ 12V

功率-最大值：820mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

DMN61D8LVTQ-13，Diodes产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：DMN61D8LVTQ-13

原始制造厂商：Diodes

技术标准参数：MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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