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零件图片（仅供参考）
DMN2014LHAB-7
规格参数
  • 制造商产品型号：DMN2014LHAB-7
  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N 沟道（双）共漏
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：13 毫欧 @ 4A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1550pF @ 10V
  • 功率-最大值：800mW
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：6-UFDFN
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    基本参数：
  • 电子零件型号：DMN2014LHAB-7
  • 原始制造厂商：Diodes
  • 技术标准参数：MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询DMN2014LHAB-7的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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