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零件图片（仅供参考）
规格参数
制造商产品型号：DMN10H170SFGQ-7制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 100V PWRDI3333系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.9A（Ta），8.5A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：122 毫欧 @ 3.3A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14.9nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：870.7pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：940mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerDI3333-8DMN10H170SFGQ-7，Diodes产品一站式供应商。
