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零件图片(仅供参考)
DMG1013UWQ-7
规格参数
  • 制造商产品型号:DMG1013UWQ-7
  • 制造商:Diodes Incorporated
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态:有源
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):820mA(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):750 毫欧 @ 430mA,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):0.62nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±6V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):59.76pF @ 16V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):310mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:SOT-323
  • DMG1013UWQ-7,Diodes产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:DMG1013UWQ-7
  • 原始制造厂商:Diodes
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询DMG1013UWQ-7的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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