DMC1229UFDB-13（Diodes，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：DMC1229UFDB-13

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 和 P 沟道

FET功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：12V

25°C时电流-连续漏极(Id)：5.6A，3.8A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 5A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19.6nC @ 8V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：914pF @ 6V

功率-最大值：1.4W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：6-UDFN

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基本参数：

电子零件型号：DMC1229UFDB-13

原始制造厂商：Diodes

技术标准参数：MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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